积体电路晶片、半导体结构及其制作方法

摘要

本发明揭露一种在一半导体基底上整合地形成一镶嵌闸极结构及一阻绝元件的制作方法。一第一介电层，具有一第一开口及一第二开口形成于半导体基底上。至少一侧壁间隙物形成于此第一开口内部侧边上，其中第一开口暴露部份半导体基底。一覆盖层形成于该第二开口的内壁及底部表面上。由该些侧壁间隙物围绕之一镶嵌闸极结构形成于该第一开口。一阻绝元件形成于该第二开口之该覆盖层上。该覆盖层容许该阻绝元件的深度较该镶嵌闸极结构的深度浅。