具有独立控制溅镀区之大面积溅镀处理室

摘要

本发明大体上提供一种在具有一溅镀靶材的物理气相沉积(PVD)处理室内处理一基材表面的方法及设备，该靶材拥有可分开偏压的区段、部分或范围，以改善沉积均匀度。一般来说，本发明之观点可用在平面显示器制程、半导体制程、太阳能电池制程、或任何其他基材制程上。在一观点中，该多区域靶材组件的每一个靶材部分系利用一或多个DC或RF电源以不同阴极偏压进行偏压。在一观点中，该多区域靶材组件的每一个靶材部分系利用一个电源以及一或多个电阻、电容及/或电感元件以不同阴极偏压进行偏压。在一观点中，该制程处理室含有一多区域靶材组件，其中多区域靶材组件具有一或多个适于输送制程气体至该PVD处理室的制程区域的埠。在一观点中，该制程处理室含有一多区域靶材组件，其具有一或多个毗邻一或多个靶材部分设置的磁控组件。