具有低负载位元线架构的非挥发性半导体记忆体以及其程式化方法

摘要

一种NAND快闪记忆体元件，其包括NAND快闪记忆胞的阵列、连接至NAND快闪记忆胞的多条字元线以及连接至NAND快闪记忆胞的多条位元线。每条位元线包括第一位元线部分、第二位元线部分和开关元件，开关元件是延伸在第一与第二位元线部分之间以选择性地将第一与第二位元线部分连接在一起。至少第一NAND快闪记忆胞是连接至第一位元线部分，并且至少第二NAND快闪记忆胞是连接至第二位元线部分。藉由包括主页缓冲器与次页缓冲器，连接至相同位元线群之记忆胞的两个页可在单一程式化运作中程式化以达到”两倍速度”程式化。