一高电阻率矽结构及用以制备其之制程

摘要

本发明一般而言系关于一种高电阻率CZ矽晶圆或其衍生的高电阻率矽结构及用以制备其之制程。特定言之，该高电阻率矽结构包含一大直径CZ矽晶圆作为其基板，其中该基板晶圆之电阻率由于其中受体原子(例如，錋)浓度而解耦，该基板之电阻率系实质上大于基于其中该等受体原子之浓度所计算之电阻率。