| 摘要 |
本发明提供用于感测实体参数之方法及设备。该设备(30)包含一磁隧穿接合(MTJ)(32)及一磁场源34，该磁场源34之磁场(35)与该MTJ重叠且其与该MTJ之接近程度回应于对该感测器之一输入而变化。一磁屏蔽(33)被至少提供于该MFS远离MTJ之一面上。该MTJ包含第一及第二磁性电极(36、38)，该等磁性电极藉由一经组态以允许该等电极间之显着隧穿传导之介电质(37)来隔离。该第一磁性区域使其旋转轴定住且该第二磁性电极使其旋转轴自由移动。该磁场源定向得更接近该第二磁性电极(与该第一磁性电极相比)。藉由提供接收相同输入但具有不同个别回应曲线且期望(但非必须)形成于相同基板上之多个电耦接感测器来延伸总体感测器动态范围。 |
