发明名称 |
光阻图案增厚材料与形成光阻图案的方法,以及半导体元件与制造该半导体元件的方法 |
摘要 |
本发明系提供一种光阻图案增厚材料,其可利用ArF准分子雷射光;其-在涂覆遍及光阻图案,例如具有直线图案或等等的ArF光阻时-可使光阻图案增厚,而无关乎光阻图案的尺寸;其具有绝佳抗蚀性;并且其系适用于形成精细间隔图案或类似图案,而超越曝光极限。本发明亦提供形成光阻图案的方法及制造半导体元件的方法,其中本发明之光阻图案增厚材料系经适宜地利用。 |
申请公布号 |
TW200720857 |
申请公布日期 |
2007.06.01 |
申请号 |
TW095106372 |
申请日期 |
2006.02.24 |
申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
小泽美和;野崎耕司 |
分类号 |
G03F7/26(2006.01);G03F7/09(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/26(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
主权项 |
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地址 |
日本 |