发明名称 光阻图案增厚材料与形成光阻图案的方法,以及半导体元件与制造该半导体元件的方法
摘要 本发明系提供一种光阻图案增厚材料,其可利用ArF准分子雷射光;其-在涂覆遍及光阻图案,例如具有直线图案或等等的ArF光阻时-可使光阻图案增厚,而无关乎光阻图案的尺寸;其具有绝佳抗蚀性;并且其系适用于形成精细间隔图案或类似图案,而超越曝光极限。本发明亦提供形成光阻图案的方法及制造半导体元件的方法,其中本发明之光阻图案增厚材料系经适宜地利用。
申请公布号 TW200720857 申请公布日期 2007.06.01
申请号 TW095106372 申请日期 2006.02.24
申请人 富士通股份有限公司 发明人 小泽美和;野崎耕司
分类号 G03F7/26(2006.01);G03F7/09(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/26(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本