| 摘要 |
一种场效电晶体，其系设置于半导体装置中，其包含第一及第二经掺杂源极/汲极区域，两个区域皆设置于闸极电极两侧的该半导体基材内及于该闸极电极下方的两个经掺杂源极/汲极区域之间的该基材内所形成的通道区域。一种闸极氧化物层于该半导体基材上形成，该闸极电极接触该闸极氧化物层的表面及其进一步包含至少一第一及一第二传导层，其中该第一及第二传导层系由具有彼此具不同功函数的材料所制造。该第一传导层接触在该表面第一部分内的该闸极氧化物，及该第二传导层接触在该表面第二部分内的该闸极氧化物层。该第一传导层系进一步传导地连接至该第二传导层。 |
