发明名称 结合稽纳二极体晶片与发光二极体晶片的封装结构
摘要 本发明提供一种将发光二极体晶片与稽纳二极体晶片一起封装的结构,以提高发光二极体晶片的逆向耐电压与抗静电能力。在此封装结构的基板上有预先设置好、由基板上表面向下凹入基板内部一适当深度的凹槽,发光二极体晶片与稽纳二极体晶片则分别固着于基板上表面、以及凹槽之内,发光二极体晶片向外发出的光线因此不致被稽纳二极体晶片所阻碍,藉此而达到高抗静电性与高发光效率的发光二极体晶片封装。
申请公布号 TW200721525 申请公布日期 2007.06.01
申请号 TW094140253 申请日期 2005.11.16
申请人 研晶光电股份有限公司 发明人 林诚;根井正美
分类号 H01L33/00(2006.01);H01L25/10(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 洪尧顺
主权项
地址 台北县中和市连城路384号1楼