发明名称 |
结构强化内连结构、其形成方法、熔丝结构及积体电路晶片 |
摘要 |
本发明系关于一种结构强化内连结构,包括:一第一导电构件,位于一第一介电层内;一第二导电构件,位于一第二介电层内,该第二介电层覆盖该第一介电层;以及一第三导电构件,位于一第三介电层内,该第三介电层覆盖该第二介电层,其中该第二导电构件为一连续型态之导电层且设置有至少一介电插栓于其内,该第一与第三导电构件为一块状导电层,该第二导电层具有小于该第一与第三导电层之一表面。本发明亦关于上述结构强化内连结构之形成方法以及应用此结构强化内连结构之熔丝结构与积体电路晶片。 |
申请公布号 |
TW200721431 |
申请公布日期 |
2007.06.01 |
申请号 |
TW095116693 |
申请日期 |
2006.05.11 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈宪伟 |
分类号 |
H01L23/525(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/525(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |