| 发明名称 | 用于生长复合金属硫化物光触媒薄膜之方法与装置 | ||
| 摘要 | 一种用于生长复合金属硫化物光触媒薄膜之方法与装置，同时执行光化学沉积与化学浴沉积，用以生长复合金属硫化物薄膜，诸如(AgInS2)x/(ZnS)2(1-x)，其中x为0~1。 | ||
| 申请公布号 | TW200719966 | 申请公布日期 | 2007.06.01 |
| 申请号 | TW095124871 | 申请日期 | 2006.07.07 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 郑光炜;黄朝琴;吴锦贞;李岱洲;萧清松 |
| 分类号 | B01J35/02(2006.01);B01J37/02(2006.01);B01J37/34(2006.01);B01J27/04(2006.01);C01B17/20(2006.01) | 主分类号 | B01J35/02(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 郭雨岚;林发立 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 | ||