| 主权项 |
1.一种自具有铜金属化及至少一种多孔性介电质 、低-k或高-k介电质之微电子基材清洁光阻剂或电 浆蚀刻或灰化残余物之方法,该方法包括使基材与 清洁组合物接触一段足够自该基材清洁光阻剂及 电浆蚀刻或灰化残余物之时间,其中该清洁组合物 系无HF、氨及一级与二级胺,且包括: 0.05至20 wt%之一种或多种非铵制造非HF制造之氟化 物盐; 5至99.95 wt%之不含一级与二级胺的极性、与水互溶 、与铜/低-k相容之有机溶剂,或水及不含一级与二 级胺的极性、与水互溶、与铜/低-k相容之有机溶 剂二者; 0至80 wt%之不含一级与二级胺的金属腐蚀抑制溶剂 ; 0至40 wt%之立体受阻胺或立体受阻烷醇胺; 0至40 wt%之有机或无机酸; 0至40 wt%之其他金属腐蚀抑制化合物; 0至5 wt%之界面活性剂; 0至10 wt%之不含金属离子之矽酸盐化合物;及 0至5 wt%之金属螯合剂。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中之氟化物盐为 氟化四烷基铵,及其中该不含一级与二级胺的极性 、与水互溶、与铜/低-k相容之有机溶剂必须包含 至少一种选自醯胺、亚及所组成之群组之有 机溶剂。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中氟化四烷基铵 盐为下式之化合物 (R)4N+F- 其中各R独立为经取代或未经取代之烷基。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中之R为含1至22 个碳原子之烷基。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中之R为含1至6个 碳原子之烷基。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中之氟化物盐包 括氟化四丁基铵。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中之腐蚀抑制溶 剂包括选自下式之化合物: W-(CR1R2)n1-X-[(CR1R2)n2-Y]z 或 T-[(CR3R4)m-Z]y 其中W及Y各独立选自=O、-OR、-O-C(O)-R、-C(O)-、-C(O)- R、-S、-S(O)-R、-SR、-S-C(O)-R、-S(O)2-R、-S(O)2、-N、- NH-R、-NR1R2、-N-C(O)-R、-NR1-C(O)-R2、-P(O)、-P(O)-OR及-P (O)-(OR)2;X系选自下列所组成之群组:伸烷基、伸环 烷基或含一或多个选自O、S、N及P原子之杂原子之 伸环烷基,及伸芳基或含一或多个选自O、S、N及P 原子之杂原子之伸芳基,其中各R、R1及R2各独立选 自氢,烷基,环烷基或含一或多个选自O、S、N及P原 子之杂原子之环烷基,及芳基或含一或多个选自O 、S、N及P原子之杂原子之芳基,各n1及n2独立为0至6 之整数;且当X为伸烷基、伸环烷基或伸芳基时,z为 1至6之整数;当X为含一或多个选自O、S、N及P原子 之杂原子之伸环烷基或含一或多个选自O、S、N及P 原子之杂原子之伸芳基时,z为0至5之整数;T系选自- O、-S、-N及-P原子;Z系选自氢、-OR5、-N(R5)2 及-SR5; 各R3、R4及R5各独立选自氢,烷基,环烷基或含一或 多个选自O、S、N及P原子之杂原子之环烷基,及芳 基或含一或多个选自O、S、N及P原子之杂原子之芳 基;m为0至6之整数,且y为1至6之整数。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中R至R5之定义中 ,烷基具有1至6个碳原子,且芳基具有3至14个碳原子 。 9.如申请专利范围第6项之方法,其中之腐蚀抑制溶 剂系选自包含乙二醇、二乙二醇、丙三醇、二乙 二醇二甲基醚、三乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、1-( 2-羟基乙基)-2-咯啶酮、4-(2-羟基乙基)吗、2-( 甲基胺基)乙醇、2-胺基-2-甲基-1-丙醇、1-胺基-2- 丙醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、N-(2-羟基乙基)乙醯 胺、N-(2-羟基乙基)丁二醯胺、及3-(二乙基胺基)-1, 2-丙二醇。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中该溶剂包括 水或选自包含二甲基亚、环丁码(sulfolane)及二 甲基啶酮之有机溶剂。 11.如申请专利范围第1项之方法,其中该清洁组合 物包括氟化四丁基铵及1-(2-羟基乙基)-2-咯啶酮 之无水组合物。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中该清洁组合 物包括氟化四丁基铵、二甲基亚、1-(2-羟基乙 基)-2-咯啶酮、水、三乙醇胺及苯并三唑。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中铜金属化包 括该基材之基本上纯铜之金属化。 |
