| 主权项 |
1.一种半导体元件,其包括: 一第一导电性类型之一第一半导体区域(13); 一第二导电性类型之一第二半导体区域(18),其接 触该第一半导体区域(13)之一侧表面,且形成该第 二半导体区域(18)以便环绕该第一半导体区域(13); 该第二导电性类型之一第三半导体区域(14),其形 成于该第一半导体区域(13)之一表面区域处; 该第一导电性类型之一第四半导体区域(16),其形 成于该第一半导体区域(13)之表面区域处,分别与 该第三半导体区域(14)相隔一预定距离,且具有一 高于该第一半导体区域(13)之杂质浓度的杂质浓度 ; 该第二导电性类型之一第五半导体区域(15),其形 成于该第一半导体区域(13)之表面区域处,且其置 放于该第三半导体区域(14)与该第四半导体区域(16 )中间、与该第三半导体区域(14)及该第四半导体 区域(16)相隔一预定距离; 该第一导电性类型之一第六半导体区域(17),其具 有一高于该第一半导体区域(13)之杂质浓度的杂质 浓度,该第六半导体区域(17)形成于该第一半导体 区域(13)之表面区域处,其包含一在该第四半导体 区域(16)与该第五半导体区域(15)中间的区域,且置 放其以便接触该第五半导体区域(15); 一第一电极(21),其被电连接至该第三半导体区域( 14); 一第二电极(23),其被电连接至该第四半导体区域( 16),及 一第三电极(22),其被电连接至该第五半导体区域( 15)。 2.如请求项1之半导体元件,其中该第六半导体区域 (17)被形成为比该第四半导体区域(16)及该第五半 导体区域(15)更深。 3.如请求项1之半导体元件,其中该第六半导体区域 (17)被形成为跨立于该第四半导体区域(16)及该第 五半导体区域(15)之上。 4.如请求项1之半导体元件,其中该第六半导体区域 (17)被形成为覆盖该第五半导体区域(15)之与该第 四半导体区域(16)相对的一表面。 5.如请求项4之半导体元件,其中该第六半导体区域 (17)被形成为进一步覆盖该第五半导体区域(15)之 与该第二半导体区域(18)相对之一表面的至少一部 分。 6.如请求项5之半导体元件,其中该第六半导体区域 (17)具有一低于该第四半导体区域(16)之杂质浓度 的杂质浓度。 7.如请求项1之半导体元件,其中该第六半导体区域 (17)之杂质浓度在该第一半导体区域(13)之杂质浓 度的1.5至10倍之一范围内。 8.如请求项1之半导体元件,其进一步包括该第二导 电性类型之一半导体基板(12),其中该第一半导体 区域(13)及该第二半导体区域(18)形成于该半导体 基板(12)之一个表面上。 9.如请求项1之半导体元件,其中: 该第一电极(21)系一集极电极; 该第二电极(23)系一基极电极; 该第三电极(22)系一发射极电极; 该第三半导体区域(14)充当一集极区域; 该第一半导体区域(13)及该第四半导体区域(16)充 当基极区域,及 该第五半导体区域(15)充当一发射极区域。 图式简单说明: 图1系一根据本发明之一实施例的半导体元件之横 截面图; 图2系一平面图,其展示了根据本发明之实施例的 半导体元件之一主表面; 图3A至3B系横截面图,其示意性地展示了根据本发 明之实施例的半导体元件之宽度与习知之半导体 元件相比已被缩小; 图4A至4E系横截面图,其描述了一种制造根据本发 明之实施例的半导体元件的方法; 图5A至5B系图表,其描述了本发明之实施例中之基 于与发射极区域之位置关系的整流区域之尺寸; 图6系一根据本发明之另一实施例的一半导体元件 之横截面图; 图7系平面图,其展示了具有一横向结构之习知之 半导体元件的一个主表面; 图8系一平面图,其展示了一习知之半导体元件的 一个主表面,其具有其中集极区域环绕发射极区域 之结构,及 图9系一习知之半导体元件的横截面图,其具有其 中集极区域环绕发射极区域之结构。 |
