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Ein Halbleiterwafer (10, 21) weist zwei Flächen auf, von welchen eine eine Laserlichteinfallsfläche ist. An der anderen Fläche des Wafers ist eine Dicing-Schicht (11, 25) derart angebracht, dass sie erweitert wird, um dadurch an einen laserumgestalteten Bereich (R) eine Zugspannung anzulegen und um ein Schneiden zu bewirken, wobei der umgestaltete Bereich als Startpunkt zum Schneiden verwendet wird. Zwischen dem Wafer und der Dicing-Schicht ist eine Schutzschicht vorgesehen, wie zum Beispiel lichtzerstreuende Erhebungen und Vertiefungen (10c), ein lichtzerstreuendes Element (11, 13) oder ein lichtreflektierendes Element (25), um das Laserlicht, das durch den Wafer hindurchgelangt, zu zerstreuen oder zu reflektieren. Somit kann die Dicing-Schicht gegenüber einer Beschädigung geschützt werden, weil der laserlichtkonvergierende Punkt nicht in der Dicing-Schicht ausgebildet ist.
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