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发明名称 Verfahren und Struktur zur Verringerung des Leckstroms der lichtempfindlichen Fläche einer PhotoDiode
摘要
申请公布号 DE60127887(D1) 申请公布日期 2007.05.31
申请号 DE2001627887 申请日期 2001.01.26
申请人 AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE. LTD. 发明人 KOPLEY, THOMAS EDWARD;VOOK, DIETRICH W.;DUNGAN, THOMAS
分类号 H01L21/762;H01L27/14;H01L21/761;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/092;H01L27/146 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
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