| 发明名称 |
Dielectric interface for group III-V semiconductor device |
| 摘要 |
A Group III-V Semiconductor device and method of fabrication is described. A high-k dielectric is interfaced to a confinement region by a chalcogenide region.
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| 申请公布号 |
US2007123003(A1) |
申请公布日期 |
2007.05.31 |
| 申请号 |
US20050292399 |
申请日期 |
2005.11.30 |
| 申请人 |
BRASK JUSTIN K;DATTA SUMAN;DOCZY MARK L;BLACKWELL JAMES M;METZ MATTHEW V;KAVALIEROS JACK T;CHAU ROBERT S |
发明人 |
BRASK JUSTIN K.;DATTA SUMAN;DOCZY MARK L.;BLACKWELL JAMES M.;METZ MATTHEW V.;KAVALIEROS JACK T.;CHAU ROBERT S. |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/36 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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