| 发明名称 | 自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法，先利用CVD的方法生长第一层二氧化硅，再利用HDP的方法在第一层二氧化硅上面生长第二层二氧化硅。本发明可解决自对准硅化物阻挡层在多晶硅线条之间的填充能力问题，并有效克服针孔现象，达到降低漏电流的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN1971857A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200510110707.9 | 申请日期 | 2005.11.24 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈华伦;周贯宇 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法，包括现有的自对准硅化物阻挡层的制作工艺，其特征在于：在生长二氧化硅层时，分两步进行，首先，利用CVD方法生长第一层二氧化硅，再利用HDP方法在第一层二氧化硅上面生长第二层二氧化硅。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||