| 发明名称 | 短波长成像用光致抗蚀剂组合物 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光致抗蚀剂浮雕像的形成方法，包括：a)于基材上施涂正向作用光致抗蚀剂组合物涂层，该光致抗蚀剂组合物基本上由光活性成份和树脂组成，该树脂不含芳基，且包括藉由含有至少一个共价键结至乙烯系不饱和原子的氟原子的化合物的聚合反应而形成的单元，并含有下式I的结构，式中R<SUP>1</SUP>包括脂环族基团，W为化学键；R<SUP>2</SUP>为氢或甲基；X为含有一个或多个氟原子的基；以及以聚合物的总单元计，y及z为所指出的单元的摩尔分量，且y及z各大于0；b)把该光致抗蚀剂组合物层于波长约为193纳米的活化辐射下曝光，然后将该曝光的光致抗蚀剂组合物涂层显影。该方法适用于在短波长成像，包括次200纳米，特别是193纳米。 | ||
| 申请公布号 | CN1318913C | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN02160084.8 | 申请日期 | 2002.12.31 |
| 申请人 | 希普利公司 | 发明人 | T·G·亚当斯;G·G·巴克利 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01);G03F7/038(2006.01) | 主分类号 | G03F7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 1.一种光致抗蚀剂浮雕像的形成方法，包括：a)于基材上施涂正向作用光致抗蚀剂组合物涂层，该光致抗蚀剂组合物基本上由光活性成份和树脂组成，该树脂不含芳基，且包括藉由含有至少一个共价键结至乙烯系不饱和原子的氟原子的化合物的聚合反应而形成的单元，并含有下式I的结构：<img file="C021600840002C1.GIF" wi="591" he="564" />式中R<sup>1</sup>包括脂环族基团，W为化学键；R<sup>2</sup>为氢或甲基；X为含有一个或多个氟原子的基；以及以聚合物的总单元计，y及z为所指出的单元的摩尔分量，且y及z各大于0；b)把该光致抗蚀剂组合物层于波长约为193纳米的活化辐射下曝光，然后将该曝光的光致抗蚀剂组合物涂层显影。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||