| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 根据本发明的一种半导体装置，在半导体衬底上设置一层电绝缘体。在所述层中设置具有暴露到层表面的一部分的连接极板。在半导体衬底上设置有跨过电绝缘体与连接极板相对的晶体管结构。该晶体管结构包括沿层的厚度方向跨过绝缘体与连接极板相对的多晶硅栅，以及在形成多晶硅栅的平面上在多晶硅栅的各个相对的侧边缘外侧处设置的扩散区。因此，根据本发明，在I/O之间的电源噪声被吸收了，特别是对于EMI和EMS具有极好的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN1319166C | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200310115612.7 | 申请日期 | 2003.11.10 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 小松茂行 |
| 分类号 | H01L23/552(2006.01);H01L23/00(2006.01) | 主分类号 | H01L23/552(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：半导体衬底；设置在半导体衬底上的电绝缘体层；设置在所述层中并具有暴露到层表面的一部分的连接极板；和晶体管结构，所述晶体管结构设置在半导体衬底上并且形成跨过电绝缘体与连接极板相对的电容。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||