| 发明名称 | 导体－电介质结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 通过以下步骤制造导体－电介质互连结构：提供包括其中具有已构图部件的介电层的结构；在所述已构图部件中所述介电层上沉积镀敷籽晶层；在过孔中所述镀敷籽晶层上沉积牺牲籽晶层；通过转向镀敷减小所述牺牲籽晶层的厚度；以及在所述已构图部件中所述牺牲籽晶层上镀敷导电金属。并且提供其中具有过孔的介电层；在已构图部件中所述介电层上镀敷籽晶层；以及位于所述已构图部件中的不连续牺牲籽晶层。 | ||
| 申请公布号 | CN1971876A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200610163558.7 | 申请日期 | 2006.11.14 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | D·L·拉思;杨智超;S·波诺斯;K·K·H·黄 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种制造导体-电介质互连结构的方法，包括以下步骤：提供包括其中具有已构图部件的介电层的结构；在所述已构图部件中所述介电层上沉积镀敷籽晶层；在所述已构图部件中所述镀敷籽晶层上沉积牺牲籽晶层；通过转向镀敷减小所述牺牲籽晶层的厚度；以及在所述已构图部件中所述牺牲籽晶层上沉积导电材料。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||