| 发明名称 | 一种减小硅片应力的半导体生产工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种减小硅片应力的半导体生产工艺方法，按顺序对器件进行如下工艺步骤：牺牲氧化物生长、阱注入模块、其他注入模块、HF处理、栅氧生长，该牺牲氧化物生长采用快速热氧化方法，该HF处理时间也缩短了比现有技术减少10％－50％。本发明由于采用快速热氧化的方法生长牺牲氧化层，有效减少了热处理的时间，减小了由于长时间的热处理而造成的缺陷，达到获得较小硅片静态漏电流的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN1971860A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200510110703.0 | 申请日期 | 2005.11.24 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 周贯宇;陈华伦 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/266(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种减小硅片应力的半导体生产工艺方法，按顺序对器件进行如下工艺步骤：牺牲氧化物生长、阱注入模块、其他注入模块、氟化氢处理、栅氧生长，其特征在于，所述牺牲氧化物生长采用快速热氧化方法。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||