薄膜晶体管及其制造方法

摘要

一种由具有薄膜部分和厚膜部分的多晶硅膜形成的薄膜晶体管，薄膜部分最少被用作沟道部分。由具有完全熔化薄膜部分而不完全熔化厚膜部分的能量密度的激光退火形成多晶硅膜。因为从薄膜部分和厚膜部分之间的边界生长的大粗晶粒形成沟道部分，可能的是使用传统的激光退火设备来容易地获得高载流子迁移率和低泄漏电流等。

主权项

1、一种薄膜晶体管，它包括在衬底上形成的多晶硅膜层、通过栅绝缘层在所述多晶硅膜层上形成的栅电极以及安排在所述栅电极两侧并与所述多晶硅膜层相连接的源和漏电极，而且其中部分所述多晶硅膜层包括薄膜部分和厚膜部分，以及至少部分所述薄膜部分最少被用作所述晶体管的沟道部分，而且其中在所述薄膜部分中形成的晶粒的尺寸大于在所述厚膜部分中形成的晶粒的尺寸。