| 发明名称 | 分层半导体衬底和光学半导体元件 | ||
| 摘要 | 利用GaAs衬底，提供一种低成本和高性能的长波长光学半导体元件。该光学半导体元件包括：有相对的第一表面和第二表面的GaAs衬底；衬底第一表面上形成的In<SUB>j</SUB>Ga<SUB>1-j</SUB>As<SUB>1-k</SUB>N<SUB>k</SUB>缓冲层(0≤j≤1，0.002≤k≤0.05)；缓冲层上形成的第一导电型包层；形成在第一导电型包层上并包含In<SUB>z</SUB>Ga<SUB>1-z</SUB>As(0≤z≤1)阱层的激活层，阱层的带隙小于第一导电型包层的带隙，激活层的厚度大于该衬底基于平衡理论的临界厚度；和激活层上形成的第二导电型包层，其带隙大于阱层的带隙。 | ||
| 申请公布号 | CN1319182C | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN03108388.9 | 申请日期 | 2003.03.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 櫛部光弘;大場康夫;橋本玲;高岡圭児 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蒋世迅 |
| 主权项 | 1.一种光学半导体元件，包括：有彼此相反的第一表面和第二表面的GaAs衬底；所述衬底所述第一表面上形成的InjGa1-jAs1-kNk缓冲层，其中0≤j≤1，0.002≤k≤0.05；所述缓冲层上形成的第一导电型包层；形成在所述第一导电型包层上并包含InzGa1-zAs阱层的激活层，其中0≤z≤1，所述阱层的带隙小于所述第一导电型包层的带隙，所述激活层的厚度大于其相对于所述半导体衬底的基于平衡理论的临界厚度；和所述激活层上形成的第二导电型包层，其带隙大于所述阱层的带隙。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||