| 发明名称 | 用于非易失性存储器的编程控制的双调谐管理方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示在一用于编程非易失性存储器的系统中用于以较高精确度和合理的编程时间进行编程的技术。在一个实施例中，将一第一电压施加到一第一非易失性存储元件的一位线以便抑制所述第一非易失性存储元件。将一第一编程电压施加到所述第一非易失性存储元件。举例来说，将一编程脉冲施加到所述第一非易失性存储元件的一控制栅极。在所述编程脉冲期间，所述位线从所述第一电压改变为一第二电压，其中所述第二电压允许编程所述第一非易失性存储元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1973336A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200580019389.3 | 申请日期 | 2005.04.20 |
| 申请人 | 桑迪士克股份有限公司 | 发明人 | 丹尼尔·C·古特曼;尼玛·穆赫莱斯;方玉品 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/04(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 1.一种编程非易失性存储器的方法，其包括：将一第一电压施加到一第一非易失性存储元件的一位线；在将所述第一电压施加到所述第一非易失性存储元件的所述位线的同时，将一第一编程电压施加到所述第一非易失性存储元件的一控制栅极；在将所述第一电压施加到所述第一非易失性存储元件的所述位线的同时，降低施加到所述第一非易失性存储元件的所述控制栅极的所述第一编程电压；在降低所述第一编程电压的同时，将一第二电压施加到所述位线；和在将所述第二电压施加到所述第一非易失性存储元件的所述位线的同时，升高施加到所述第一非易失性存储元件的所述控制栅极的所述第一编程电压。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||