半导体器件、其制造方法及其评估方法

摘要

一种用于制造半导体器件的方法包括如下步骤：在硅衬底(1、40)上形成第一外延膜(2、41)；在第一外延膜(2、41)中形成沟槽(4、43)；并且在第一外延膜(2、41)上和在沟槽(4、43)中形成第二外延膜(23、44、45)。形成第二外延膜(23、44、45)的步骤包括最后的步骤，其中使用硅源气体和卤化物气体的混合气体。硅衬底(1、40)具有被定义为α的砷浓度，第二外延膜(23、44、45)具有被定义为β的杂质浓度。砷浓度和杂质浓度具有如下关系：α≤3×10¹⁹×ln(β)－1×10²¹。

主权项

1、一种用于制造半导体器件的方法，包括如下步骤：在具有第一导电类型的硅衬底(1、40)上形成具有所述第一导电类型的第一外延膜(2、41)，其中所述第一外延膜(2、41)具有比所述硅衬底(1、40)低的杂质浓度；在所述第一外延膜(2、41)中形成沟槽(4、43)；在所述第一外延膜(2、41)上和在所述沟槽(4、43)中形成具有第二导电类型的第二外延膜(23、44、45)从而利用所述第二外延膜(23、44、45)填充所述沟槽(4、43)，其中形成所述第二外延膜(23、44、45)的步骤包括最后的步骤，其中硅源气体和卤化物气体的混合气体用于形成所述第二外延膜(23、44、45)，所述硅衬底(1、40)具有作为其中的杂质浓度的砷浓度，将其定义为α，所述第二外延膜(23、44、45)具有被定义为β的杂质浓度，以及所述硅衬底(1、40)中的所述砷浓度和所述第二外延膜(23、44、45)中的所述杂质浓度具有如下关系：α≤3×1019×1n(β)-1×1021。