| 发明名称 | 存储单元与其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于CMOS的存储器结构，用以降低软错误(soft-errors)的发生。在此存储单元的布局中，晶体管的源极至漏极轴与存储单元的较短边平行，且此存储单元具有一较长边与一较短边，其中较长边较佳为较短边的2倍长，如此可利用较短的阱路径来降低晶体管与阱条状处间的电阻，且较短的阱条状处可降低操作时的电压与减少软错误的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN1319174C | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200410091663.5 | 申请日期 | 2004.11.24 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖忠志 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/8244(2006.01) | 主分类号 | H01L27/11(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 1.一种SRAM存储单元，包括：一p阱区具有至少一NMOS晶体管形成于其中，且此NMOS晶体管具有一NMOS有源区；以及一n阱区具有至少一PMOS晶体管形成于其中；以及其中该存储单元具有一长边与一短边，此长边至少为此短边的两倍长，且上述NMOS晶体管的源极至漏极的方向与此短边平行。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||