| 发明名称 | 直流或交流电场辅助退火 | ||
| 摘要 | 在半导体器件中形成理想的接合剖面图的一种方法。将至少一种掺杂物引入半导体衬底。通过将半导体衬底和至少一种掺杂物退火来扩散至少一种掺杂物，同时使半导体衬底暴露于一个电场。 | ||
| 申请公布号 | CN1319135C | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN01112158.0 | 申请日期 | 2001.03.29 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | A·W·巴兰蒂;J·J·埃利斯－莫纳汉;古川俊治;J·D·吉伯特;G·R·米勒;J·A·斯林克曼 |
| 分类号 | H01L21/326(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/326(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈霁;傅康 |
| 主权项 | 1.在半导体衬底中形成理想的接合剖面图的一种方法包括：将至少一种掺杂物引入半导体衬底；并且随后通过将半导体衬底和所述至少一种掺杂物退火来在所述半导体衬底内扩散至少一种掺杂物，同时使半导体衬底暴露于一个DC或AC电场。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||