处理一种如半导体晶片的工件的方法和设备

摘要

在用于清洁工件或晶片的系统中，在该工件表面形成一被加热液体的边界层。臭氧被提供到该工件周围。该臭氧在所述边界层中扩散并与该工件表面的污染物发生化学反应。一股高速的被加热液体喷流被引向所述工件，以物理方式上从所述工件驱逐或去除污染物。该喷流在撞击位置穿过所述边界层。而该边界层大部分不受到影响。比较理想的是，该液体包含水，也可以包含一种化学物质。蒸汽也被喷向所述工件，该蒸汽也可以以物理方式去除污染物，并加热该工件以加速该化学清洁过程。所述工件和所述液体喷流彼此相对移动，从而面向该喷流的所述工件的全部表面至少可以即刻的充分暴露于该喷流。声波或电磁能量也可被引入该工件。

主权项

1.一种使用臭氧和工件(20)上的液体层清洁腔内的所述工件的方法，其特征在于包括：将液体加热到25-200℃以得到被加热的液体；将所述被加热的液体涂覆到所述工件上，同时所述被加热的液体在所述工件上形成一层；将臭氧提供到所述腔内，同时所述臭氧与所述工件上的污染物发生化学反应；引导液体喷流(62)穿过所述被加热的液体层，所述喷流穿过所述被加热的液体层，并撞击所述工件的表面，从而以物理方式从所述工件的表面去除污染物；以及相对所述工件移动所述液体喷流。