| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件和其制造方法，在用于对键合焊盘进行开口的腐蚀工序后，在绝缘保护膜上不发生缺损，可不增加使成本上升的工序来进行制造。本发明的半导体器件在半导体衬底上形成多条布线(101)或导电膜图形，并在所述多条布线(101)或导电膜图形间形成间隙，其中：在所述多条布线(101)或导电膜图形的至少一个弯曲部或末端部，从夹持所述间隙的某一个的布线或导电膜图形向所述间隙形成突出部(102)。 | ||
| 申请公布号 | CN1319164C | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200310100789.X | 申请日期 | 2003.10.10 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 福本彰 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，在半导体衬底上形成多条布线或导电膜图形，并在所述多条布线或导电膜图形间形成了间隙，其特征在于：在所述多条布线或导电膜图形的至少一个弯曲部或终端部，从夹持所述间隙的任意一个的布线或导电膜图形向所述间隙形成突出部。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||