大功率LED芯片倒焊装方法

摘要

本发明请求保护一种大功率LED芯片倒装焊方法，涉及微电子技术领域，本发明所采用的技术方案是在LED芯片上淀积TiNiAg层，在LED芯片电极上淀积金属铟，在硅基板上淀积TiNiAg层，对应于LED芯片电极位置的硅基电板上淀积铟，并在其上制作金球，然后将经上述加工的LED芯片与硅基板倒装焊接在一起，从而形成铟－金－铟焊装结构，以铟作为热膨胀缓冲，使LED芯片装焊的热膨胀失配率大大下降，热匹配性好，热阻小，热量散发快，从而大大提高了大功率LED的寿命。

主权项

1、一种大功率LED芯片倒焊装方法，其特征在于，该方法包括：(1)分别在LED芯片上和硅基板上淀积TiNiAg层；(2)光刻所述的TiNiAg层，在LED芯片上刻出LED芯片电极和引线，在硅基板上刻出硅基电极和引线；(3)分别在LED芯片上和硅基板上用真空蒸发的工艺淀积铟层；(4)光刻所述铟层，仅保留LED芯片电极和硅基电极上的铟层；(5)在硅基电极的铟层上用金丝制作金球；(6)对经上述步骤加工处理后的LED芯片和硅基板进行划片，形成一个一个独立的LED芯片和硅基芯片；(7)在倒装焊机上将各独立的LED芯片和硅基芯片进行键合。