| 发明名称 | 前体、包含该前体制备的薄层、制备该薄层的方法和相变存储设备 | ||
| 摘要 | 一种包含Te、15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的Te前体，一种制备该Te前体的方法，一种包含所述Te前体的含Te的硫族化物薄层，一种制备该薄层的方法，及一种相变存储设备。所述Te前体可以在较低温度下沉积形成掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的含Te的硫族化物薄层。举例来说，在较低沉积温度下，Te前体可以使用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)或等离子体增强的原子层沉积(PEALD)。使用所述Te前体形成的掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST相变层的重置电流可以降低，从而当使用包含它的存储设备时，其集成是可能的，并且更高容量和/或更快速度的操作也是可能的。 | ||
| 申请公布号 | CN1970564A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200610071134.8 | 申请日期 | 2006.02.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李正贤;姜闰浩 |
| 分类号 | C07F7/10(2006.01);H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);C23C16/00(2006.01) | 主分类号 | C07F7/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元;赵仁临 |
| 主权项 | 1.一种Te前体，其包含Te、15族化合物和/或14族化合物。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||