| 发明名称 | Ⅲ－V族晶体及其生产方法 | ||
| 摘要 | 一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量Ⅲ-Ⅴ族晶体的方法，该方法成本低而且容易简单。一种生产Ⅲ-Ⅴ族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上(1)沉积金属膜(2)的步骤；在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜(2)的步骤；以及在热处理后的金属膜上生长Ⅲ-Ⅴ族晶体(4)的步骤。另外一种生产Ⅲ-Ⅴ族晶体的方法，其特征在于包括：在热处理后的金属膜上生长Ⅲ-Ⅴ族化合物缓冲膜的步骤；在Ⅲ-Ⅴ族化合物缓冲膜上生长Ⅲ-Ⅴ族晶体的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1318661C | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200480000646.4 | 申请日期 | 2004.04.01 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 中畑成二;上松康二;弘田龙 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01);C30B29/38(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/302(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/30(2006.01) | 主分类号 | C30B29/40(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 程金山 |
| 主权项 | 1.一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上沉积金属膜的步骤；在其中存在有形成图案的化合物的气氛下热处理所述金属膜的步骤；以及在热处理后的金属膜上生长III-V族晶体的步骤。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||