集成电路芯片、半导体结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种集成电路芯片、半导体结构及其制作方法，能够在半导体基底上一体地形成镶嵌栅极结构以及电阻元件。该半导体结构包括：第一介电层，在半导体基底上形成有第一开口以及第二开口；至少一个侧壁间隙物，形成于该第一开口内部侧边上，其中第一开口暴露部分半导体基底；覆盖层，形成于该第二开口的内壁及底部表面上；镶嵌栅极结构，由该第一开口的所述侧壁间隙物围绕；电阻元件，形成于该第二开口的该覆盖层上。该覆盖层允许该电阻元件的深度比该镶嵌栅极结构的深度浅。本发明借由调整覆盖层的厚度，使定义电阻元件的宽度以及厚度更具有弹性。所述制作方法允许电阻元件具有更低于公知光刻技术分辨率的宽度。

主权项

1.一种半导体结构，包括：第一介电层，具有第一开口以及第二开口，并且设置于半导体基板上；至少一个侧壁间隙物，在该第一开口内壁；覆盖层，在该第二开口的内壁及底部表面上；隔离结构，形成于该半导体基底上的该覆盖层下方；镶嵌栅极结构，由该第一开口的所述侧壁间隙物围绕；以及电阻元件，形成于该第二开口内的该覆盖层上；其中该覆盖层允许该电阻元件的深度比该镶嵌栅极结构的深度浅，以增加该电阻元件相对于该镶嵌栅极结构的电阻。