| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置的制造方法包括提供基底，在基底上形成第一栅极结构与第二栅极结构，且两栅极结构之间彼此电性隔离，在基底中的第一栅极结构两侧形成第一双扩散区域，在基底中的第二栅极结构两侧形成第二双扩散区域，在第一双扩散区域中形成第一源极/漏极区域，以及在第二双扩散区域中形成第二源极/漏极区域，其中，第一双扩散区域是作为轻掺杂源极/漏极区域使用。因此，本发明的半导体装置及其制造方法能够将同时制造高电压装置与低电压装置的集成电路制造方法简化，又可减少热载子注入效应的发生，以及在集成电路的制造过程中，可节省至少两次的掩模形成步骤以及离子注入步骤，而大大的减少制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1971916A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200610115090.4 | 申请日期 | 2006.08.24 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈富信;黄婉华;李国廷;伍佑国;姜安民 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L27/088(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括：提供基底；在该基底上形成第一栅极结构与第二栅极结构，且该第一与该第二栅极结构之间彼此电性隔离；在该基底中的该第一栅极结构两侧形成第一双扩散区域；在该基底中的该第二栅极结构两侧形成第二双扩散区域；在该第一双扩散区域中形成第一源/漏极区域；以及在该第二双扩散区域中形成第二源/漏极区域；其中，该第一双扩散区域是作为轻掺杂源极/漏极区域使用。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||