半导体存储装置及其制造方法、半导体装置、便携电子设备以及IC卡

摘要

本发明的半导体存储装置，包括场效应晶体管，其在半导体基片1上具有栅绝缘膜2、栅电极3、一对源极/漏极扩散区13a、13b。包括覆盖膜21，其由以覆盖栅电极3的上面及侧面的状态，在基片1上形成的具有存储电荷的功能的绝缘体构成。包括层间绝缘膜23，其在覆盖膜21上相接形成。包括接触部件25、25，其在各源极/漏极扩散区13a、13b上分别在上下方向贯通层间绝缘膜23与覆盖膜21，并与该源极/漏极扩散区13a、13b电连接。覆盖膜21及层间绝缘膜23由可选择性蚀刻的材料来构成。这样，可消除过删除及由此引起的读出不良的问题，可提高可靠性。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于：具有场效应晶体管，其具有在半导体基片上介于栅绝缘膜来形成的栅电极、相当于上述栅电极的两侧的半导体基片表面上所形成的一对源极/漏极扩散区，包括存储功能体，其分别设置于上述栅电极的两侧，由具有存储电荷的功能的材料构成的电荷保持部及具有防止所存储的电荷散逸的功能的防散逸绝缘体构成；覆盖膜，其由以覆盖成为一体的上述栅电极及存储功能体的上面及侧面的状态，在上述半导体基片上所形成的绝缘体构成；层间绝缘膜，其在上述覆盖膜上相接形成；接触部件，其在上述各源极/漏极扩散区上分别在上下方向贯通上述层间绝缘膜与覆盖膜，并与该源极/漏极扩散区电连接，上述覆盖膜及层间绝缘膜由可选择性蚀刻的材料来构成。