短沟道碳化硅功率MOSFETS及其制造方法

摘要

提供碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其制造方法。碳化硅MOSFET有n型碳化硅漂移层，在n型漂移层内包含有一定间隔的、其中又包含n型碳化硅区的p型碳化硅区，和氮化的氧化层。MOSFET还有n型短沟道，从相应的n型碳化硅区穿过p型碳化硅区延伸到n型碳化硅漂移层。在另一个实施例中，提供碳化硅MOSFET及其制造方法，MOSFET包括施加零栅偏压时为配置为自耗尽源区的一个区域，其处在n型碳化硅区和漂移层之间，与氧化层相邻。

主权项

1.一种碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，包括：一个双注入碳化硅MOSFET，具有一个n型碳化硅漂移层、在n型碳化硅漂移层内有一定间隔并且其中包含n型碳化硅区的多个p型碳化硅区，和在n型碳化硅漂移层上的一个含氮的氧化层；和多个n型短沟道，从相应的n型碳化硅区穿过p型碳化硅区并延伸到n型碳化硅漂移层；其中上述n型短沟道延伸到所述n型碳化硅漂移层，但没有延伸进入所述n型碳化硅漂移层，且所述n型短沟道具有比位于n型短沟道之间的一个区域更高的掺杂浓度。