具有改进的静电放电耐压的半导体装置

摘要

一种半导体装置，具有一与每一外部接线端相对应的外部ESD保护电路，该外部ESD保护电路在外部接线端的周围区域形成。该外部ESD保护电路释放源于外部接线端的静压，且避免了半导体内部电路的损坏。因此，该半导体装置的ESD耐压得以改善。

主权项

1.一种半导体装置，形成于一具有第一导电类型的半导体衬底上，其包括：一内部电路，在所述半导体衬底的中间部分；多个外部接线端，在所述内部电路周围的所述半导体衬底的第一部分中形成，每个外部接线端电连接至所述内部电路，其中，多个电源相应地给多个外部接线端提供不同的电压水平；以及多个外部静电放电保护电路，在所述半导体衬底的所述第一部分周围的所述半导体衬底的第二部分或所述半导体衬底的一公共阱区中形成；其中，每个所述外部静电放电保护电路还包括：一第一扩散区，与该外部接线端中的一个电连接；一第二扩散区，与所述第一扩散区分离形成，所述第二扩散区电连接至一主电源的高压线；以及一第三扩散区，与所述第一扩散区分离，在所述第一扩散区的与第二扩散区相对的一侧形成，所述第三扩散区电连接至所述主电源的低压线；一氧化物层，在所述半导体衬底的表面上形成，将所述第一扩散区与所述第二扩散区分离，以及将所述第一扩散区与所述第三扩散区分离；一第一电极，在所述第一扩散区与所述第二扩散区间的所述氧化物层上形成；以及一第二电极，在所述第一扩散区与所述第三扩散区间的所述氧化物层上形成；该第一电极和第二电极都连接到该外部接线端中的一个。