发明名称 |
半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 |
摘要 |
由单层或多层半导体层组成的发光层4在未掺杂型、弱p型,或者n型第一半导体衬底上进行层叠。由单层或多层组成的n型半导体层5-7在该发光层4上进行层叠。对于发光层4所发射光的波长透明的第二半导体层8在n型半导体层7的表面形成。然后,第一半导体衬底被去除。对于发光层所发射光的波长透明的透明电极层9在通过去除第一半导体衬底所暴露的平面上形成。 |
申请公布号 |
CN1319183C |
申请公布日期 |
2007.05.30 |
申请号 |
CN200310101530.7 |
申请日期 |
2003.10.10 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
仓桥孝尚;中津弘志;村上哲朗;大山尚一 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
谢喜堂 |
主权项 |
1.一种制造半导体发光器件的方法,其特征在于,包括:将发光层层叠在未掺杂型、弱p型,或者n型第一半导体衬底上,该发光层由单层或多层半导体层组成;将n型半导体层层叠在发光层上,该n型半导体层由单层或多层组成;在n型半导体层表面形成第二半导体衬底,该第二半导体衬底对于发光层所发射光的波长透明;然后除去第一半导体衬底;以及在除去第一半导体衬底所暴露的平面上形成透明的电极层,该透明电极层对于发光层所发射光的波长透明。 |
地址 |
日本大阪府 |