发明名称 半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法
摘要 由单层或多层半导体层组成的发光层4在未掺杂型、弱p型,或者n型第一半导体衬底上进行层叠。由单层或多层组成的n型半导体层5-7在该发光层4上进行层叠。对于发光层4所发射光的波长透明的第二半导体层8在n型半导体层7的表面形成。然后,第一半导体衬底被去除。对于发光层所发射光的波长透明的透明电极层9在通过去除第一半导体衬底所暴露的平面上形成。
申请公布号 CN1319183C 申请公布日期 2007.05.30
申请号 CN200310101530.7 申请日期 2003.10.10
申请人 夏普株式会社 发明人 仓桥孝尚;中津弘志;村上哲朗;大山尚一
分类号 H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 谢喜堂
主权项 1.一种制造半导体发光器件的方法,其特征在于,包括:将发光层层叠在未掺杂型、弱p型,或者n型第一半导体衬底上,该发光层由单层或多层半导体层组成;将n型半导体层层叠在发光层上,该n型半导体层由单层或多层组成;在n型半导体层表面形成第二半导体衬底,该第二半导体衬底对于发光层所发射光的波长透明;然后除去第一半导体衬底;以及在除去第一半导体衬底所暴露的平面上形成透明的电极层,该透明电极层对于发光层所发射光的波长透明。
地址 日本大阪府