光电二极管结构

摘要

本实用新型提供了一种光电二极管结构，包括基底、氧化层位于基底表面上、数个绝缘层位于基底中，掺杂区位于基底中且被绝缘层围绕、栅极、多晶硅区段位于氧化层上方、开口位于多晶硅区段和氧化层中且深至掺杂区表面、图案化多晶硅层位于开口中和部分多晶硅区段上方，以及源极/漏极位于栅极的一侧。其中，栅极位于掺杂区的一侧，而多晶硅区段位于掺杂区的另一侧。

主权项

1.一种光电二极管结构，其特征在于，包括：基底；介电层，位于该基底表面上；多个绝缘层，位于该基底中；掺杂区，位于该基底中，且被该些绝缘层围绕；栅极，位于该介电层上方，且该栅极位于该掺杂区的一侧；多晶硅区段，位于该介电层上方，且该多晶硅区段位于该掺杂区的不同于该栅极的另一侧；开口，位于该多晶硅区段和该介电层中，深至该掺杂区表面；图案化多晶硅层，位于该开口中和部分该多晶硅区段上方；以及源极/漏极，位于该栅极不同于该掺杂区的一侧的该基底中。