| 发明名称 | 非易失性半导体存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性半导体存储器，包括多个存储单元，每个存储单元包括：漏极，形成在衬底上；源极，形成在衬底中的凹槽底部；浮置栅极，形成在漏极与凹槽侧面之间的衬底的上面；以及控制栅极，形成在浮置栅极的上面相邻存储单元共享凹槽；凹槽的侧面实质上与浮置栅极的侧端部对准，并且凹槽中填充有绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1971918A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200610162405.0 | 申请日期 | 2006.11.22 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 儿玉典昭 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种非易失性半导体存储器，包括多个存储单元，每个存储单元包括：漏极，形成在衬底上；源极，形成在衬底中的凹槽底部；存储节点，形成在漏极与凹槽侧面之间的衬底的上面；以及控制栅极，形成在存储节点的上面，其中相邻存储单元共享凹槽，凹槽的侧面实质上与存储节点的侧端部对准，以及凹槽中填充有绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||