| 发明名称 | 用于化学处理TERA层的处理系统和方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于化学处理衬底上的TERA层的处理系统和方法。衬底的化学处理在化学上改性了衬底上的暴露表面。在一个实施例中，用于处理TERA层的系统包括用于在衬底上沉积TERA层的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统、用于在TERA层中产生特征结构的刻蚀系统以及用于减小TERA层中特征结构的尺寸的处理子系统。 | ||
| 申请公布号 | CN1973358A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200580021098.8 | 申请日期 | 2005.05.06 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 阿伦·莫斯丹;山下朝夫 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01);H01L21/027(2006.01);G03F7/09(2006.01) | 主分类号 | H01L21/033(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李剑 |
| 主权项 | 1.一种用于处理衬底上的可调刻蚀速率ARC(TERA)层的方法，所述方法包括：利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统在所述衬底上沉积所述TERA层；利用刻蚀系统在所述TERA层中产生特征结构；以及减小所述TERA层中的所述特征结构的尺寸。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||