| 发明名称 | 一种改进器件浅沟道隔离边缘漏电的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改进器件浅沟道隔离边缘漏电的方法，即按顺序对器件进行如下工艺步骤：第一次无光敏性有机物涂布、第一次涂胶、N阱光罩曝光、N阱注入、第一次干法去胶、第一次湿法去胶、第二次无光敏性有机物涂布、第二次涂胶、P阱光罩曝光、P阱注入、第二次干法去胶、第二次湿法去胶、HF处理、栅氧生长。本发明方法大大减短了后期的HF处理时间，减少了由于该步HF处理对STI顶部边缘小角的影响，可以减小STI边缘漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN1971871A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200510110605.7 | 申请日期 | 2005.11.22 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 周贯宇 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种改进器件浅沟道隔离边缘漏电的方法，其特征在于，按顺序对器件进行如下工艺步骤：第一次无光敏性有机物涂布、第一次涂胶、N阱光罩曝光、N阱注入、第一次干法去胶、第一次湿法去胶、第二次无光敏性有机物涂布、第二次涂胶、P阱光罩曝光、P阱注入、第二次干法去胶、第二次湿法去胶、HF处理、栅氧生长。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||