发明名称 |
膜形成装置、膜形成方法以及形成EL器件的方法 |
摘要 |
本发明的目的在于提供一种能够形成高密度和高纯度EL层的膜形成装置和清洁方法。本发明为通过加热衬底的加热装置加热衬底10、借助连接到膜形成室的减压装置(如涡轮分子泵、干泵、低温抽气泵等的真空泵)将膜形成室的压力减小到5×10<SUP>-3</SUP>乇(0.665Pa)或以下,优选减小到1×10<SUP>-3</SUP>乇(0.133Pa)或以下并通过从淀积源淀积有机化合物材料进行膜形成,形成高密度EL层。在膜形成室中,通过等离子体进行淀积掩模的清洁。 |
申请公布号 |
CN1319116C |
申请公布日期 |
2007.05.30 |
申请号 |
CN02154229.5 |
申请日期 |
2002.12.12 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;村上雅一 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01);H01L51/40(2006.01);H05B33/10(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
吴立明;梁永 |
主权项 |
1.一种膜形成装置,用于通过从提供在衬底对面的淀积源淀积有机化合物材料在衬底上形成膜,所述膜形成装置包括:将所述衬底安放其内的膜形成室;在所述膜形成室中提供的淀积源;在所述膜形成室中提供用于加热淀积源的装置;在所述膜形成室中提供用于加热掩模的加热装置;以及用于将膜形成室抽真空的真空气体放电处理室,其中膜形成室与真空气体放电处理室相连接。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |