发明名称 |
一种微电力机械系统振动射流执行器的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及微电子器件制备技术领域,特别是一种MEMS振动射流执行器芯片的制备方法,方法包括:1.采用低压化学气相沉积的方法在硅衬底双面生长氮化硅膜;2.在硅基片正面光刻出上电极图形;3.蒸发铬/金薄膜;4.超声剥离;5.掩蔽刻蚀;6.在硅基片背面光刻腐蚀窗口图形;7.胶掩蔽刻蚀背面腐蚀窗口上的氮化硅;8.湿法腐蚀释放拍动片结构;9.在第二片硅片上满片蒸发铬/金薄膜;10.在第二片硅片的金膜表面涂光学光刻胶;11.将第一片硅片的背面与涂有光刻胶的第二片硅片粘合;12.划片成线列器件;13.分别在上下硅片的金膜上焊接电极引线。应用于小型无人飞行器上。 |
申请公布号 |
CN1970432A |
申请公布日期 |
2007.05.30 |
申请号 |
CN200510086971.3 |
申请日期 |
2005.11.24 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
欧毅;白宏磊;石莎莉;申功炘;陈大鹏 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01);G03F7/00(2006.01) |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
段成云 |
主权项 |
1一种微电力机械系统振动射流执行器芯片的制备方法,其特征在于,包括13个工艺操作步骤:1、采用低压化学气相沉积的方法在硅衬底双面生长氮化硅膜;2、在第一片硅基片正面光刻出上电极图形;3、蒸发铬/金薄膜;4、超声剥离;5、掩蔽刻蚀;6、在第一片硅基片背面光刻腐蚀窗口图形;7、胶掩蔽刻蚀背面腐蚀背面氮化硅;8、湿法腐蚀释放拍动片结构;9、在第二片硅片上满片蒸发铬/金薄膜;10、在第二片硅片的金膜表面涂光学光刻胶;11、将第一片硅片的背面与涂有光刻胶的第二片硅片粘合;12、划片成线列器件;13、分别在上下硅片的金膜上焊接电极引线。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号 |