| 发明名称 | 利用电磁辐射的熔接方法 | ||
| 摘要 | 可借助于膜C相互熔接两种不可相互直接熔接的模制件A和B，只要该膜的第一表面的材料与模制件A的材料相容且该膜的第二表面的材料与模制件B的材料相容以及只要膜C或与其相接触的表面区吸收电磁辐射。熔接如此进行，即使膜C的第一表面与模制件A相接触，并使膜C的第二表面与模制件B相接触，并入射电磁辐射。 | ||
| 申请公布号 | CN1970277A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200610160557.7 | 申请日期 | 2006.11.23 |
| 申请人 | 德古萨公司 | 发明人 | R·格林;M·维尔皮茨;F·－E·鲍曼;K·库曼;S·蒙谢默 |
| 分类号 | B29C65/14(2006.01);B29C65/16(2006.01);B32B27/00(2006.01) | 主分类号 | B29C65/14(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 周铁;林森 |
| 主权项 | 1.一种用于由至少两个互相不可直接熔接的模制件制备复合件的方法，其具有下列步骤：a)制备模制件A，b)制备模制件B，其材料与模制件A的材料不相容，c)制备膜C，其第一表面的材料与模制件A的材料相容，其第二表面的材料与模制件B的材料相容，其中膜C或与其相接触的表面区吸收电磁辐射，d)使膜C的第一表面与模制件A接触，膜C的第二表面与模制件B接触，e)入射电磁辐射，熔化膜C，和f)使熔化区冷却。 | ||
| 地址 | 德国杜塞尔多夫 | ||