| 发明名称 | 相变存储器元件的真空包覆电极 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储器器件，其具有环绕第一电极元件的真空夹层(jacket)，以提供较佳的隔热效果。此存储器器件包括第一电极元件；相变存储器元件，其接触至第一电极元件；电介质填充层，其围绕相变存储器元件以及第一电极元件，其中电介质层与第一电极元件之间有间隔，以在第一电极元件与电介质填充层之间定义腔室；且将相变存储器层密封到电介质填充层，以定义环绕第一电极元件的隔热夹层。 | ||
| 申请公布号 | CN1971960A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200610132070.8 | 申请日期 | 2006.10.24 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 林锦辉 |
| 主权项 | 1、一种存储器器件，包括：第一电极元件；相变存储器元件，其接触至所述第一电极元件；电介质填充层，围绕所述相变存储器元件以及所述第一电极元件，其中所述电介质填充层与所述第一电极元件之间有间隔，以在所述第一电极元件与所述电介质填充层之间定义一腔室；且将所述相变存储器元件密封至所述电介质填充层，以定义环绕所述第一电极元件的隔热夹层(jacket)。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||