| 发明名称 | 反射性正电极和使用其的氮化镓基化合物半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明的一个目的是提供一种具有高反射性正电极的氮化镓基半导体化合物半导体发光器件，其中该高反射性正电极具有高反向电压和对p型氮化镓基化合物半导体层具有低接触电阻的优良可靠性。本发明的用于半导体发光器件的反射性正电极包括邻接p型半导体层的接触金属层，以及在所述接触金属层上的反射层，其中所述接触金属层由铂族金属或者包含铂族金属的合金形成，并且所述反射层由选自Ag、Al以及包含Ag和Al的至少一者的合金中的至少一种金属形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1973379A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200580020771.6 | 申请日期 | 2005.06.22 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 龟井宏二 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种用于半导体发光器件的反射性正电极，包括邻接p型半导体层的接触金属层，以及在所述接触金属层上的反射层，其中所述接触金属层由铂族金属或包含铂族金属的合金形成，并且所述反射层由选自Ag、Al、以及包含Ag和Al中的至少一者的合金中的至少一种金属形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||