发明名称 PROCESS FOR THE PREPARATION OF SINGLE CRYSTALLINE GALLIUM NITRIDE THICK LAYER
摘要
申请公布号 KR20070053855(A) 申请公布日期 2007.05.28
申请号 KR20050111583 申请日期 2005.11.22
申请人 SAMSUNG CORNING CO., LTD. 发明人 SHIN, HYUN MIN;LEE, CHANG HO
分类号 C30B29/38;C23C16/34;C30B25/10;H01L21/205 主分类号 C30B29/38
代理机构 代理人
主权项
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