| 摘要 |
<p>Полезная модель относится к неохлаждаемым тепловым приемникам излучения и предназначена для регистрации и измерения инфракрасного излучения, основанном на изменении электрического сопротивления полупроводника при нагреве чувствительной площадки под действием падающего на нее потока излучения.</p>
<p>Техническим результатом при использовании предлагаемой полезной модели является повышение надежности работы болометра, который достигается тем, что в болометре, содержащем последовательно размещенные на кремниевой подложке изолирующий диэлектрический слой и площадку термочувствительного слоя, согласно полезной модели, на термочувствительную площадку нанесено поглощающее диэлектрическое покрытие, в подложке выполнена низкоомная область, расположенная вокруг термочувствительной площадки, а в изолирующем диэлектрическом слое выполнены канавки. В частных случаях выполнения толщина изолирующего диэлектрического слоя под площадкой термочувствительного слоя больше, чем в окружающей ее области. Так же в частных случаях к двум ее противолежащим сторонам могут быть присоединены контактные дорожки, а канавки выполнены вдоль двух других ее сторон в изолирующем диэлектрическом слое, термочувствительный слой может быть выполнен из поликристаллического кремния, а диэлектрические слой и покрытие могут быть выполнены из двуокиси кремния.</p>
<p>Монолитность предложенной конструкции обеспечивает механическую прочность и устойчивость к внешним воздействующим факторам, а наличие в подложке низкоомной области, канавок в диэлектрическом слое, а также его утолщение под площадкой термочувствительного слоя и поглощающее покрытие обуславливают стабильность и воспроизводимость параметров структуры, изготавливаемой стандартной, хорошо отработанной технологией, что все вместе обеспечивает надежность работы болометра.</p> |
