发明名称 Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Leistungs-Halbleitertransistors
摘要
申请公布号 DE10355587(B4) 申请公布日期 2007.05.24
申请号 DE20031055587 申请日期 2003.11.28
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 TIHANYI, JENOE
分类号 H01L21/336;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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