Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung durch den Einsatz eines mit ArF-Laserstrahl belichteten Photoresist-Musters,申请号DE20021028325-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung durch den Einsatz eines mit ArF-Laserstrahl belichteten Photoresist-Musters
摘要
申请公布号	DE10228325(B4)	申请公布日期	2007.05.24
申请号	DE20021028325	申请日期	2002.06.25
申请人	HYNIX SEMICONDUCTOR INC.	发明人	LEE, SUNG-KWON;KIM, SANG-IK;SUH, WEON-JOON;LEE, MIN-SEOK;YOON, KUK-HAN
分类号	G03F7/11;H01L21/312;G03F7/20;G03F7/38;G03F7/40;H01L21/027;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/60;H01L21/768	主分类号	G03F7/11
代理机构		代理人
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